ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ДАТЧИКА НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ (56-59)
Номер части:
Оглавление
Содержание
Журнал
Выходные данные
Дата публикации статьи в журнале:
2020/08/10
Название журнала:Национальная Ассоциация Ученых,
Выпуск:
57,
Том: 1,
Страницы в выпуске:
56-59
Автор:
Тураев А.А.
Бухарский государственный университет, Бухара
Бухарский государственный университет, Бухара
Анотация: В настоящее время внимание исследователей обратилось к нетривиальным режимам включения полевого и биполярного транзисторов. Оказалось, что в случае создания варианта двухстокового транзистора, у него усиливаются свойства чувствительности к деформациям . Исполнение или же включение полевого транзистора в виде двухтранзисторной ячейки с последовательно соединенными каналами обеспечивает усиление постоянного и переменного сигналов с высоким коэффициентом . Для придания чувствительности к внешним воздействиям полевому транзистору предлагается включить его в режиме запирания канала напряжением сток-затвор, а напряжение отсечки выбрать в качестве измерительного параметра.
- PDF версия
- Текстовая версия
Скачать в формате PDF
Список литературы: 1.В.М.Андреев, В.Р.Ларионов, И.В.Ловыгин, Д.А.Малевский, М.Я.Масленков, В.Д.Румянцев, М.З.Шварц. Создание комплекса методик и средств для исследования наногетероструктурных солнечных элементов. http://technoexan.ru/articles/article3_photovoltaika.pd f
2.Федосеев В.И., Колосов М.П. Оптикоэлектронные приборы ориентации и навигации космических аппаратов: учеб. пособие. — М.: Логос, 2007. —248 с.: ил.
3.Бабичев Г.Г., Козловский С.И., Романов В.А., Шаран Н.Н. Кремниевые двухстоковые полевые тензотранзисторы. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 10. С. 45-49.
4.Karimov A.V., Yodgorova D.M., Kamanov B.M., Djurayev D.R., Turayev A.A. Features amplifying properties of a field effect transistor in the circuit with dynamic load // Physical Surface Engineering, 2015. – V. 13, No. 1. – PP. 12-16.
5.Patent RU number the IAP 05120 "Multisensor-based field effect transistor" // A.V. Karimov, Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A., Dzhurayev D.R.,
Turaev A.A. Bull., №11 from 11.30.2015.
6.Karimov A.V., Bakhronov Sh.N. The thermoelectric converter//Technical Physics Letters. 25, 101–102 (1999).
7.Д.Р.Джураев, А.В.Каримов, Д.М.Ёдгорова, О.А.Абдулхаев, А.А.Тураев, Научный журнал “Физика полпроводников и микроэлектроника”
1(01)2019.с.45-47.
8.D.R.Djuraev, A.A.Turaev. Photoelectric sensitivity of multifunctional sensor on the outdoor transistor. Scientific reports of Bukhara State University 3(23)2018. с.7-11.
9.A.V. Karimov, D.R. Djuraev, O.A. Abdulhaev, A.Z. Rahmatov, D.M. Yodgorova, A.A.Turaev. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode. International Journal of Engineering Inventions Volume 5, Issue 9 [Oct. 2016] PP: 42-44.
10. O.A.Abdulkhayev, D.R.Dzhurayev, D.M.Yodgorova, A.V.Karimov, A.Z.Rakhmatov, A.A.Turaev. Physico-technological aspects multifunctional sensor on field-effect transistor. New Trends of Development Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and Prospects 10-11 November 2016, Tashkent, Uzbekistan. PP: 231-234.
11. A.V. Karimov, D.R.Djuraev, A.A.Turaev. Investigation temperature sensitivity of the field-effect transistor in channel depletion mode. Journal of Scientific and Engineering Research, 2017, 4(2):1-4. 12. А.А.Тураев. Особенности температурной чувствии-тельности транзисторной структуры в двухполюсном режиме. Colloquium-journal. Arhitecture Technical science Physics and Mathematics № 3(27) 2019. p.71-75.