THE RESEARCH OF LOW-NOISE GaN HEMT OF CRYOGENIC TEMPERATURES (32-36)
Номер части:
Оглавление
Содержание
Журнал
Выходные данные
DOI: 10.31618/nas.2413-5291.2020.3.52.152
Дата публикации статьи в журнале:
2020/03/10
Название журнала:Национальная Ассоциация Ученых,
Выпуск:
52,
Том: 3,
Страницы в выпуске:
32-36
Автор:
V.V. Krasnov
Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow
Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow
Автор:
V.M. Minnebaev
S&PE “Pulsar”, MIREA - Russian Technological University , Moscow
S&PE “Pulsar”, MIREA - Russian Technological University , Moscow
Автор:
An.V. Redka
, S&PE “Pulsar” , Moscow
, S&PE “Pulsar” , Moscow
Анотация: The article presents the results of a research of the possibility of using discrete devices based on gallium nitride of the centimeter wavelength range for receivers of space systems and as part of ground-based radio astronomy observation systems using cryogenic cooling units.
Ключевые слова:
GaN HEMT;
low-noise; cryogenic temperature ;
Данные для цитирования: V.M. Minnebaev An.V. Redka. THE RESEARCH OF LOW-NOISE GaN HEMT OF CRYOGENIC TEMPERATURES (32-36). Национальная Ассоциация Ученых.
Проблемы Технических наук. 2020/03/10;
52(3):32-36 10.31618/nas.2413-5291.2020.3.52.152
- PDF версия
- Текстовая версия
Скачать в формате PDF
Список литературы: [1] Груздов В.В., Колковский Ю.В., Миннебаев В.М. Электронные блоки на основе AlGaN/GaN/SiC СВЧ-гетеротранзисторов для космических систем // Известия Тульского государственного университета. Технические науки. 2016. № 12-2. С. 201-208.
[2] Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Корнеев С.В., Дорофеев А.А., Миннебаев В.М. SiGe и GaN СВЧ приборы для приемопередающих и передающих модулей // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2009.
№ 2 (223). С. 5-10.
[3] Abolduyev I.M., Zubkov A.M., Minnebaev V.M. X-Band Amplifier for Active Phased-Array Antennas // Proceedings of the 1998 3rd International Conference on Satellite Communications, ICSC98. Part 1 (of 3). Moscow, Russia, 1998. С. 170-171, DOI: 10.1109/ICSC.1998.741405
[4] Mamadi R., Faez R. Influence of Aluminum Concentration of Barrier on Noise Characteristics of
Al0,3Ga0,7N/Al0,05Ga0,95N/GaN HEMTs // 5th SASTech 2011, Khavaran Higher-education Institute, Mashhad, Iran, May 12-14
[5] Чуков Г.В., Амбуркин Д.М., Елесин В.В.,
Миннебаев В.М., Будяков А.С., Савченко Е.М., Телец А.В. Эффекты мощности дозы в транзисторах на нитриде галлия // В сборнике: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIII научно-технической конференции. 2014. С. 268270.
[6] Миннебаев С.В., Филатов А.Л., Краснов В.В. Малошумящий транзистор с соcтавным каналом на основе гетероструктур AlGaN/GaN //
УДК 65
Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2017. № 4 (247). С. 21-27.
[7] Lee J.-W., Kuliev A., Kumar V., Schwindt R., and Adesida I. Microwave noise characteristics of AlGaN/GaN HEMT’s on SiC Substrates for broadband low-noise amplifiers // IEEE Microw. Wireless Compon. Lett., vol. 14, no. 6, pp. 259-261, Jun. 2004
[8] Аболдуев И.М., Краснов В.В., Миннебаев С.В., Филатов А.Л. Проектирование GaN HEMT для приемных устройств // Наноиндустрия.
2018. № S (82). С. 459-463, DOI: 10.22184/1993-
8578.2018.82.459.463
[9] Grishakov K.S., Elesin V.F., Ryzhuk R.V.,
Kargin N.I., Minnebaev S.V. Effect of Diamond and
Graphene Heat Spreaders on Characteristics jf
AlGaN/GaN HEMT // Physics Procedia. 2015. pp. 460-
464, DOI: 10.1016/j.phpro.2015.09.093
[10] Mamadi R., Faez R., Behtoee B. Influence of
Physical Parameters on Microwave Noise
Characteristics of Al0,3Ga0,7N/Al0,05Ga0,95N/GaN Composite-Channel HEMTs // International Journal of Applied Physics and Mathematics, vol. 2, no. 6, November 2012, pp. 442-445.