Национальная Ассоциация Ученых

Опубликовать статью в международном научном журнале. Бесплатная регистрация в РИНЦ, печатный номер журнала и сертификат участника научной публикации.

Generic selectors
Exact matches only
Искать в заголовках
Искать в контенте

THE RESEARCH OF LOW-NOISE GaN HEMT OF CRYOGENIC TEMPERATURES (32-36)

Номер части:
Оглавление
Содержание
Журнал
Выходные данные
DOI: 10.31618/nas.2413-5291.2020.3.52.152
Дата публикации статьи в журнале: 2020/03/10
Название журнала:Национальная Ассоциация Ученых, Выпуск: 52, Том: 3, Страницы в выпуске: 32-36
Автор: V.V. Krasnov
Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow
Автор: V.M. Minnebaev
S&PE “Pulsar”, MIREA - Russian Technological University , Moscow
Автор: An.V. Redka
, S&PE “Pulsar” , Moscow
Анотация: The article presents the results of a research of the possibility of using discrete devices based on gallium nitride of the centimeter wavelength range for receivers of space systems and as part of ground-based radio astronomy observation systems using cryogenic cooling units.
Ключевые слова: GaN HEMT; low-noise; cryogenic temperature ;
Данные для цитирования: V.M. Minnebaev An.V. Redka. THE RESEARCH OF LOW-NOISE GaN HEMT OF CRYOGENIC TEMPERATURES (32-36). Национальная Ассоциация Ученых. Проблемы Технических наук. 2020/03/10; 52(3):32-36 10.31618/nas.2413-5291.2020.3.52.152

  • PDF версия
  • Текстовая версия
Скачать в формате PDF

Список литературы: [1] Груздов В.В., Колковский Ю.В., Миннебаев В.М. Электронные блоки на основе AlGaN/GaN/SiC СВЧ-гетеротранзисторов для космических систем // Известия Тульского государственного университета. Технические науки. 2016. № 12-2. С. 201-208. [2] Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Корнеев С.В., Дорофеев А.А., Миннебаев В.М. SiGe и GaN СВЧ приборы для приемопередающих и передающих модулей // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2009. № 2 (223). С. 5-10. [3] Abolduyev I.M., Zubkov A.M., Minnebaev V.M. X-Band Amplifier for Active Phased-Array Antennas // Proceedings of the 1998 3rd International Conference on Satellite Communications, ICSC98. Part 1 (of 3). Moscow, Russia, 1998. С. 170-171, DOI: 10.1109/ICSC.1998.741405 [4] Mamadi R., Faez R. Influence of Aluminum Concentration of Barrier on Noise Characteristics of Al0,3Ga0,7N/Al0,05Ga0,95N/GaN HEMTs // 5th SASTech 2011, Khavaran Higher-education Institute, Mashhad, Iran, May 12-14 [5] Чуков Г.В., Амбуркин Д.М., Елесин В.В., Миннебаев В.М., Будяков А.С., Савченко Е.М., Телец А.В. Эффекты мощности дозы в транзисторах на нитриде галлия // В сборнике: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIII научно-технической конференции. 2014. С. 268270. [6] Миннебаев С.В., Филатов А.Л., Краснов В.В. Малошумящий транзистор с соcтавным каналом на основе гетероструктур AlGaN/GaN // УДК 65 Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2017. № 4 (247). С. 21-27. [7] Lee J.-W., Kuliev A., Kumar V., Schwindt R., and Adesida I. Microwave noise characteristics of AlGaN/GaN HEMT’s on SiC Substrates for broadband low-noise amplifiers // IEEE Microw. Wireless Compon. Lett., vol. 14, no. 6, pp. 259-261, Jun. 2004 [8] Аболдуев И.М., Краснов В.В., Миннебаев С.В., Филатов А.Л. Проектирование GaN HEMT для приемных устройств // Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 459-463, DOI: 10.22184/1993- 8578.2018.82.459.463 [9] Grishakov K.S., Elesin V.F., Ryzhuk R.V., Kargin N.I., Minnebaev S.V. Effect of Diamond and Graphene Heat Spreaders on Characteristics jf AlGaN/GaN HEMT // Physics Procedia. 2015. pp. 460- 464, DOI: 10.1016/j.phpro.2015.09.093 [10] Mamadi R., Faez R., Behtoee B. Influence of Physical Parameters on Microwave Noise Characteristics of Al0,3Ga0,7N/Al0,05Ga0,95N/GaN Composite-Channel HEMTs // International Journal of Applied Physics and Mathematics, vol. 2, no. 6, November 2012, pp. 442-445.
32 Национальная ассоциация ученых (НАУ) # 52, 20 20
УДК

THE RESEARCH OF LOW -NOISE GAN HEMT OF CR YOGENIC TEMPERATURES

V.V. Krasnov 1,
V.M. Minnebaev 2,3,
An.V. Redka 2
1 – Lebedev Physical Institu te of the Russian Academy of Sciences(Russia, Moscow) 2 – S&PE “Pulsar” (Russia, Moscow) 3 – MIREA - Russian Technological University (Russia, Moscow)
DOI: 10.31618/nas.2413 -529 1.2020.3.52.152
ИССЛЕДОВАНИЕ МАЛОШУМ ЯЩИХ GAN HEMT ПРИ КРИОГЕННЫХ ТЕМП ЕРАТУРАХ

В.В. Краснов 1,
В.М. Миннебаев 2,3,
Ан.В. Р едька 2
1 – ФИАН им. Лебедева (Россия, Москва) 2 – АО «НПП «Пульсар» (Россия, Москва) 3 – МТУ МИРЭА (Россия , Москва )

Annotation
The article presents the results of a research of the possibility of using discrete devices based on gallium
nitride of the cent imeter wavelength range for receivers of space systems and as part of ground -based radio
astronomy observation systems using cryogenic cooling units.
Аннотация
В статье представлены результаты исследования возмож ности применения дискретных приборов на
осно ве нит рида галлия сантиметрового диапазона длин волн для приемных устройств космических систем
и в составе наземных комплексов радиоастрономического наблюдения космического пространства,
использующих криогенные о хлаждающие установки.
Key words: GaN HEMT, l ow -noi se, cryogenic temperature
Ключевые слова: GaN HEMT, малошумящий, криотемпература

Introduction
In the last decade, in Russia and the world there
has been a sharp increase in interest in transistors based
on gallium nitride structures - the devices h ave bee n
mastered in serial production. Devices based on such
structures are used as part of microwave amplifiers for
ground, sea, airborne and space -based systems, and
transceiver modules and amplifiers for space -based
radio -electronic systems are commerc ially a vailable
and developed. Transistors and monolithic integrated
circuits made by gallium nitride technology, compared
with analogs made by gallium arsenide technology,
have a number of mai n advantages [1]:
- high breakdown voltages (up to 300 V for
mi crowave transistors and up to 1200 V for power
devices);
- high specific power (up to 10 W/mm for serial
devices);
- high thermal conductivity and operating
temperatures;
- high radiation resistance and reliability.
Record specific power is one of the main
achiev ements for GaN -based devices due to high
breakdown voltages, which in combination with a high
current density provides an output power level of up to
10 watts per 1 millim eter of gate width, which is an
order of magnitude higher than analogs based o n
galli um arsenide.
In addition, the structural features of substrates
based on gallium nitride heterostructures make it
possible to work not only with high output power
levels, but also to withstand significant input power
levels (up to 5 W / mm), which i s an or der of magnitude
higher than gallium arsenide structures [2]. Given this,
as well as the presence of a high gain, it is of interest to
use GaN HEMT in the input low -noise amplifiers of the
centimeter and millimeter frequency ranges without the
use o f speci al protection circuits, which in turn will
allow receiving devices with low values of noise figure
and resistant to synchronous and non -synchronous high
power levels. Испо льзование подобных устройств
особенно важно в радиоэлектронных системах с
АФАР [3]. Another area of application of GaN HEMT
is their application in space -based equipment,
characterized by high requirements for resistance to
special factors of outer space a nd a wide range of
operating temperatures, including low temperatures of
cryog enic le vels.
Progress in the development of electronic
components based on gallium nitride for receiving
devices has been restrained for many years by both the
shortcomings of th e substrates themselves and the
imperfection of the epitaxial structures grown on the m.
Substrates for the epitaxial growth of gallium nitride
layers should have a minimum difference in lattice
parameters, high thermal conductivity, and insulating
properti es. Researches show that to increase the
limiting frequencies, thinner heteros tructur es should be
used, the permissible barrier thickness of which sharply
increases with an increase in the cutoff frequency [4].
Devices manufactured using GaN technology ar e
steadfast to structural damage. Dose effects in galium

Национальная ассоциация ученых (НАУ) # 52, 20 20 33
nitride structures be gin to appear at sufficiently high
levels, because they primarily appear in the dielectric
layers of the device structures, and only at very high
levels of exposure does the cont ribution of various
physical effects become significant, which cause the
rearr angemen t of charge states in the active regions of
the devices. Dose rate effects are manifested in GaN
transistors to a much lesser extent in comparison with
silicon, silicon -germanium, and gallium arsenide
devices, due to the wider band gap - 3.4 eV. The
absenc e of parasitic four -layer structures
fundamentally excludes the possibility of activation of
the thyristor effect. Catastrophic failures in GaN
transistors when exposed to heavy charged outer space
with linear energy losses of up to 80 MeV·cm 2 / mg of
part icles do not occur [5].
In [6 –9], processes and methods for optimizing the
design of the heterostructure and HEMT are presented,
aimed at reducing the noise temperature of devices
based on AlGaN/GaN.
Formulation of the problem
Experience in cooling a GaAs HEMT dies to
cryogenic temperatures showed that freezing of
phonons and a decrease in the cross section of a “two -
dimensional electron gas” in semiconductor structures
bas ed on gallium arsenide leads to an increase in the
internal slope of the activ e eleme nt and to a decrease in
parasitic active and reactive resistances. These changes
entail not only a decrease in the noise figure and an
increase in the gain of the transist or, but also lead to a
decrease in the matching band and a decrease in the
sta bility coefficient, which was necessary to take into
account when designing cooled amplifiers, since the
optimal matching circuits of the transistor at cryogenic
temperatures, as a rule, do not coincide with optimal
matching network under normal conditions , and v ice
versa. That is why it was decided to research the
behavior of GaN HEMT at cryogenic temperatures.
The research of the possibility of using low -noise
devices based on g allium nitride for use at cryogenic
temperatures was carried out on discrete G aN HEMT
manufactured by S&RE Pulsar JSC and MIC based on
them in the centimeter wavelength range.
Research results
At the initial stages of the work, it was necessary
to determi ne the stability of GaN HEMT at cryogenic
temperatures and when temperatures c hange: stability,
the nature of the change in noise temperature and gain,
the influence of power modes, etc. For the research, a
transistor manufactured by S&RE Pulsar JSC with W g
= 150 μm was selected. The appearance of the test
transistor is shown in Fig . 1.

Fig. 1 Appearance of a test transistor

The block diagram of the cryogenic measuring
installation is shown in Fig. 2. A closed cooling system
allows reaching the base temperature T = 22 K.

34 Национальная ассоциация ученых (НАУ) # 52, 20 20
Fig. 2. Block diagram of a cryogenic measuring instal lation

Th e measurements were carried out in measuring
equipment with ferrite isolators ФПВН -381 installed at
the input and output.
At the first stage, to assess the operability of the
transistor at cryogenic temperatures, the I –V
characteristics of the transistor were measured at
various ambient temperatures. The current -voltage
characteristic at temperatures from 90 to 300 K is
shown in Fig. 3.

Fig. 3 I –V characteristics of the test transistor in the temperature range

Analysis of the I –V character istic shows t hat at
low voltage at the drain, the drain current increases
slightly with decreasing base temperature, and at high
voltages, the change becomes significant and at a drain -
source voltage of U DS> 15 V, the drain current I DS
increases three time s with a temp erature difference ΔТ
= 210 K. This is due to an increase in the mobility of
charge carriers in the channel, caused by the
deactivation of deep levels with decreasing
temperature. At the next stage, the gain and noise figu re
of the transistor were measured at the drain voltage
UDS = 8 V, since at higher voltages a significant
increase in current is observed depending on the
temperature. In order to ensure the stability of
measurements and ensure the constancy of the
equival ent impedances of the generator an d the load at
the terminals of the transistor by external matching
networks, matching was made in the band ΔF = 9.0 ...
10, GHz. The measurement results are presented in Fig.
4 and Fig. 5

0
10
20
30
40
50
60
70
0 5 10 15
IDS
, mА
UDS , V
Т = 300 К
Т = 240 К
Т = 210 К
Т = 180 К
Т = 150 К
Т = 120 К
Т = 90 К








Cryoblock
Noise
source
Hermoflange
Thermal
bridge
DUT
Thermal
bridge
Hermoflan ge
Spectrum analyzer
Power Supply
Vacuum pump
Cryo cooler

Национальная ассоциация ученых (НАУ) # 52, 20 20 35
Fig. 4 GaN HEMT measured noise fi gure

Fig. 5 GaN HEMT measured ga in

From the presented dependencies it is seen that
with decreasing temperature the gain increases by 3 dB,
and the noise figure decreases by 2 dB at a case
temperature near to Tc = 26 K. It is important to note
that during cooling/heati ng, there are no f ailures and
self -excitation of the transistor. Consequently, the use
of gallium nitride technologies is possible to create an
effective highly reliable low -noise cryo -LNA for use
both as a part of space -based radio equ ipment, where
large differences in amb ient temperature are possible,
and as part of ground -based radio astronomy
observation and communication stations using cryo -
cooling systems to increase the sensitivity of receivers.
Conclusion
It has been established that low -noise GaN
HEMTs are stably op erable at low temperatures, up to
20 K, while a significant decrease in noise temperature
indicates that there is an “idealization” of a two -
dimensional electron gas associated with the
regularization of the boundaries between the layers of
the AlGaN/GaN h eterostructure.
The conducted researches confirm the possibility
of creating a low -noise nitridagyllium electronic
component base with low levels of intrinsic noise and
stability of parameters for use in cryogenic
temp eratures, which ensu res its applicatio n as a part of
receivers of space -based radio -electronic systems and
cryo -cooled radio astronomy systems.

References
[1] Груздов В.В., Колковский Ю.В.,
Миннебаев В.М. Электронные блоки на основе
AlGaN/GaN/SiC СВЧ -гетеротранзисторов для
космических систем // Известия Тульского
государственного университета. Технические
науки. 2016. № 12 -2. С. 201 -208.
[2] Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Корнеев
С.В., Дорофеев А.А., Миннебаев В.М. SiGe и GaN
СВЧ при боры для приемопередающих и
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
8,9 9 9,1 9,2 9,3 9,4 9,5 9,6 9,7 9,8 9,9 10 10,1
NF, dB
f, GHz
T = 300 К
Т = 245 К
Т = 210 К
Т = 185 К
Т = 160 К
Т = 120 К
Т = 100 К
Т = 80 К
Т = 26 К
12
13
14
15
16
17
18
8,9 9 9,1 9,2 9,3 9,4 9,5 9,6 9,7 9,8 9,9 10 10,1
Gain, dB
f, GHz
Т = 300
К
Т = 245
К
Т = 210
К
Т = 185
К
Т = 160
К
Т = 120
К
Т = 100
К

36 Национальная ассоциация ученых (НАУ) # 52, 20 20
передающих мод улей // Электронна я техника.
Серия 2: Полупроводниковые приборы . 2009.
№ 2 (223). С. 5 -10.
[3] Abolduyev I.M., Zubkov A.M., Minnebaev
V.M. X -Band Amplifier for Active Phased -Array
Antennas // Proceedings of the 199 8 3rd International
Conference on Satellit e Communications, ICSC98.
Part 1 (of 3). Moscow, Russia, 1998. С. 170 -171,
DOI: 10.1109/ICSC.1998.741405
[4] Mamadi R., Faez R. Influence of Alum inum
Concentration of Barrier on Noise Cha racteristics of
Al0,3Ga 0,7N/Al 0,05 Ga 0,95 N/GaN HEMTs // 5th SASTech
2011, Khavaran Higher -education Institute, Mashhad,
Iran, May 12 -14
[5] Чуков Г.В., Амбуркин Д.М., Елесин В.В.,
Миннебаев В.М., Будяков А.С., Савче нко Е.М.,
Телец А.В. Эффекты мощности дозы в
транзисторах на нитриде галлия // В сборнике:
Твердотельная электроника. Сложные
функциональные блоки РЭА. Материалы XIII
научно -технической конференции. 2014. С. 268 -
270.
[6] Миннебаев С.В., Филатов А.Л., Красн ов
В.В. Малошумящий транзистор с соcтавным
каналом на основе гетероструктур AlGaN/GaN //
Электронная техника. Серия 2:
Полупроводниковые приборы . 2017. № 4 (247) . С.
21 -27.
[7] Le e J. -W., Kuliev A., Kumar V., Schwindt R.,
and Adesida I. Microwave noise characteristics of
AlGaN/GaN HEMT’s on SiC Substrates for broadband
low -noise amp lifiers // IEEE Microw. Wireless
Compon. Lett., vol. 14, no. 6, pp. 259 -261, Jun. 2 004
[8] Аболдуев И .М., Краснов В.В., Миннебаев
С.В., Филатов А.Л. Проектирование GaN HEMT
для приемных устройств // Наноиндустрия .
2018. № S (82) . С. 459 -463, DOI: 10.22184/1993 -
8578.2018.82.459.463
[9] Grishakov K.S., Elesin V.F., Ryzhuk R.V.,
Kargin N.I., Minnebaev S.V. Effect of Diamond a nd
Graphene Heat Spreaders on Characteristics jf
AlGaN/GaN HEMT // Physics Procedia . 2015. pp. 460 -
46 4, DOI: 10.1016/j.phpro.2015.09.093
[10] Mamadi R., Faez R., Behtoee B. Influence of
Physical Parameters on Microwave Noise
Characteristics of Al 0,3Ga 0,7N/Al0,05 Ga 0,95 N/GaN
Composite -Channel HEMTs // International Journal of
Applied Physi cs and Mathematics , vol. 2, no. 6,
November 2012, pp. 442 -445.

УДК 65

СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ БИ ЗНЕС -МОДЕЛИ ПАССАЖИР СКОЙ ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНОЙ
КОМПАНИИ

Пассар Ирина Евгеньевна
Дальне восточный государственный университет путей сообщения,
магистрант, Вагонный участо к Хабаровск (ЛВЧ -1) АО «ФПК»,
начальник поезда ;

IMPROVING THE PASSEN GER BUSINESS MODEL R AILWAY COMPANY

Irina E. Passar
Far Eastern state University of railway transport,
master's student, Carriage section Khabarovsk (LVCH -1) JSC «FPC»,
trainmaster ;

Анн отация
Статья посв ящена вопросам совершенствования модели управления в пассажирской
железнодорожной компании дальних перевозок. Рассматриваются предпосылки и условия изменения
бизнес -модели компании в условиях жесткой конкуренции с другими видами транспорт а и выполнения
соц иально -значимой функции. В статье представлены стратегические направления развития компании АО
«Федеральная пассажирская компа ния», дочернего общества ОАО «РЖД».
Annotation
The article is devoted to improving the management model in a lon g-distance passeng er railway company.
We consider the prerequisites and conditions for changing the company's business model in the face of fier ce
competition with other modes of transport and performing a socially significant function. The article present s the
strategic di rections of development of the company "Federal passenger company" JSC, a subsidiary of JSC
"Russian Railways".
Ключевые слова : железнодорожный транспорт, пассажирская компания, стратегия развития, бизнес -
модель, структура управления, кон куренция, миссия, видение, АО «ФПК», ОАО «РЖД».
Keywords: railway transport, passenger company, development strategy, business model, management
structure, competition, strategy, vision, JSC "FPC", JSC "Russian Railways".

Введение
В современных условиях повышение
требовани й пассажиров к сервису
железнодорожной перевозки, развитие скоростного
и высокоскоростного движения, а также
обострение конкур енции с другими видами
Наверх
Юридические науки

12.00.01

Теория и история права и государства; история правовых учений

юридические

12.00.02

Конституционное право, муниципальное право

юридические

12.00.03

Гражданское право; предпренимательское право; семейное право;
международное частное право

юридические

12.00.04

Предпринимательское право; арбитражный процесс

юридические

12.00.05

Трудовое право; право социального обеспечения

юридические

12.00.06

Природоресурсное право; аграрное право; экологическое право

юридические

12.00.08

Уголовное право и криминология; уголовно-исполнительное право

юридические

12.00.09

Уголовный процесс; криминалистика и судебная экспертиза;
оперативно-розыскная деятельность

юридические

12.00.10

Международное право, европейское право

юридические

12.00.11

Судебная власть, прокурорский надзор, организация правоохрани-
тельной деятельности, адвокатура

юридические

12.00.12

Управление в социальных экономических системах (юридические
аспекты); правовая информатика; применение математических
методов и вычислительной техники в юридической деятельности

юридические

12.00.13

Финансовое право; бюджетное право; налоговое право; банковское
право; валютно-правовое регулирование; правовое регулирование
выпуска и обращения ценных бумаг; правовые основы аудитор-
ской деятельности

юридические

12.00.14

Административное право, финансовое право, информационное
право

юридические

12.00.15

Гражданский процесс; арбитражный процесс

юридические

×
Экономические науки

08.00.01

Экономическая теория

экономические

08.00.02

История экономических учений

экономические

08.00.03

История народного хозяйства

экономические

08.00.04

Региональная экономика

экономические

08.00.05

Экономика и управление народным хозяйством: теория управления
экономическими системами; макроэкономика; экономика, организация
и управление предприятиями, отраслями, комплексами; управление
инновациями; региональная экономика; логистика; экономика труда

экономические

08.00.06

Логистика

экономические

08.00.07

Экономика труда

экономические

08.00.08

Эффективность капитальных вложений и новой техники

экономические

08.00.09

Ценообразование

экономические

08.00.10

Финансы, денежное обращение и кредит

экономические

08.00.11

Статистика

экономические

08.00.12

Бухгалтерский учет, статистика

экономические

08.00.13

Математические и инструментальные методы экономики

экономические
физико-
математические

08.00.14

Мировая экономика

экономические

08.00.15

Экономика зарубежных социалистических стран

экономические

08.00.16

Экономика капиталистических стран

экономические

08.00.17

Экономика развивающихся стран

экономические

08.00.18

Экономика народонаселения и демография

экономические

08.00.19

Экономика природопользования и охраны окружающей среды

экономические

08.00.20

Экономика стандартизации и управление качеством продукции

экономические

08.00.21

Транзитивная экономика

экономические

08.00.27

Землеустройство

экономические

08.00.28

Организация производства

экономические

08.00.30

Экономика предпринимательства

экономические

×
Физико-математические науки

01.01.00

Математика

 

01.01.01

Математический анализ

Математика

01.01.02

Дифференциальные уравнения

Математика

01.01.03

Математическая физика

Математика

01.01.04

Геометрия и топология

Математика

01.01.05

Теория вероятностей и математическая статистика

Математика

01.01.06

Математическая логика, алгебра и теория чисел

Математика

01.01.07

Вычислительная математика

Математика

01.01.09

Дискретная математика и математическая кибернетика

Математика

01.01.11

(Системный анализ и автоматическое управление)

Математика

01.02.00

Механика

Механика

01.02.01

Теоретическая механика

Механика

01.02.04

Механика деформируемого твердого тела

Механика

01.02.05

Механика жидкости, газа и плазмы

Механика

01.02.06

Динамика, прочность машин, приборов и аппаратуры

Механика

01.02.07

Динамика сыпучих тел, грунтов и горных пород

Механика

01.02.08

Биомеханика

Механика

01.03.00

Астрономия

Астрономия

01.03.01

Астрометрия и небесная механика

Астрономия

01.03.02

Астрофизика, радиоастрономия

Астрономия

01.03.03

Физика Солнца

Астрономия

01.03.04

Планетные исследования

Астрономия

01.04.00

Физика

Физика

01.04.01

Приборы и методы экспериментальной физики

Физика

01.04.02

Теоретическая физика

Физика

01.04.03

Радиофизика

Физика

01.04.04

Физическая электроника

Физика

01.04.05

Оптика

Физика

01.04.06

Акустика

Физика

01.04.07

Физика конденсированного состояния

Физика

01.04.08

Физика плазмы

Физика

01.04.09

Физика низких температур

Физика

01.04.10

Физика полупроводников

Физика

01.04.11

Физика магнитных явлений

Физика

01.04.13

Электрофизика, электрофизические установки

Физика

01.04.14

Теплофизика и теоретическая теплотехника

Физика

01.04.16

Физика атомного ядра и элементарных частиц

Физика

01.04.17

Химическая физика, в том числе физика горения и взрыва

Физика

01.04.18

Кристаллография, физика кристаллов

Физика

01.04.19

Физика полимеров

Физика

01.04.20

Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника

Физика

01.04.21

Лазерная физика

Физика

01.04.22

Сверхпроводимость

Физика

01.04.23

Физика высоких энергий

Физика

×
Биологические науки

03.00.01

Радиобиология

биологические

03.00.02

Биофизика

биологические

03.00.03

Молекулярная биология

биологические

03.00.04

Биохимия

биологические

03.00.05

Ботаника

биологические

03.00.06

Вирусология

биологические

03.00.07

Микробиология

биологические

03.00.08

Зоология

биологические

03.00.09

Энтомология

биологические

03.00.10

Ихтиология

биологические

03.00.11

Эмбриология, гистология и цитология

биологические

03.00.12

Физиология и биохимия растений

биологические

03.00.13

Физиология

биологические

03.00.14

Антропология

биологические

03.00.15

Генетика

биологические

03.00.16

Экология

биологические

03.00.18

Гидробиология

биологические

03.00.19

Паразитология

биологические

03.00.20

Гельминтология

биологические

03.00.22

Криобиология

биологические

03.00.23

Биотехнология

биологические

03.00.24

Микология

биологические

03.00.25

Гистология, цитология, клеточная биология

биологические

03.00.26

Молекулярная генетика

биологические

03.00.27

Почвоведение

биологические

03.00.28

Биоинформатика

биологические

03.00.29

Охрана живой природы

биологические

03.00.30

Биология развития, эмбриология

биологические

03.00.31

Интродукция и акклиматизация

биологические

03.00.32

Биологические ресурсы

биологические

03.00.33

Протистология

биологические

×
Технические науки

05.01.00

Инженерная геометрия и компьютерная графика

технические

05.02.00

Машиностроение и машиноведение

технические

05.03.00

Обработка конструкционных материалов в машиностроении

технические

05.04.00

Энергетическое, металлургическое и химическое машиностроение

технические

05.05.00

Транспортное, горное и строительное машиностроение

технические

05.07.00

Авиационная и ракетно-космическая техника

технические

05.08.00

Кораблестроение

технические

05.09.00

Электротехника

технические

05.11.00

Приборостроение, метрология и информационно-измерительные
приборы и системы

технические

05.12.00

Радиотехника и связь

технические

05.13.00

Информатика, вычислительная техника и управление

технические

05.14.00

Энергетика

технические

05.15.00

Разработка полезных ископаемых

технические

05.16.00

Металлургия

технические

05.17.00

Химическая технология

технические

05.18.00

Технология продовольственных продуктов

технические

05.19.00

Технология материалов и изделия текстильной и легкой промышленности

технические

05.20.00

Процессы и машины агроинженерных систем

технические

05.21.00

Технология, машины и оборудование лесозаготовок, лесного
хозяйства, деревопереработки и химической переработки биомассы
дерева

технические

05.22.00

Транспорт

технические

05.23.00

Строительство

технические

05.24.00

Геодезия

технические

05.25.00

Документальная информация

технические

05.26.00

Безопасность жизнедеятельности человека

технические

05.27.00

Строительство

электроника

×
Географические науки

11.00.01

Физическая география, геофизика и геохимия ландшафтов

географические

11.00.02

Экономическая, социальная и политическая география

географические

11.00.04

Геоморфология и эволюционная география

географические

11.00.05

Биогеография и география почв

географические

11.00.07

Гидрология суши, водные ресурсы, гидрохимия

географические

11.00.08

Океанология

географические

11.00.09

Метеорология, климатология, агрометеорология

географические

11.00.11

Охрана окружающей среды и рациональное использование
природных ресурсов

географические

11.00.12

Географическая картография и геоинформатика

географические

11.00.13

Гляциология и геокриология

географические

11.00.14

Географическая экология

географические

×
Медицинские науки

14.00.01

Акушерство и гинекология

медицинские

14.00.02

Анатомия человека

медицинские

14.00.03

Эндокринология

медицинские

14.00.04

Болезни уха, горла и носа

медицинские

14.00.05

Внутренние болезни

медицинские

14.00.06

Кардиология

медицинские

14.00.07

Гигиена

медицинские

14.00.08

Глазные болезни

медицинские

14.00.09

Педиатрия

медицинские

14.00.10

Инфекционные болезни

медицинские

14.00.11

Кожные и венерические болезни

медицинские

14.00.12

Лечебная физкультура и спортивная медицина

медицинские

14.00.13

Нервные болезни

медицинские

14.00.14

Онкология

медицинские

14.00.15

Патологическая анатомия

медицинские

14.00.16

Патологическая физиология

медицинские

14.00.17

Нормальная физиология

медицинские

14.00.18

Психиатрия

медицинские

14.00.19

Лучевая диагностика, лучевая терапия

медицинские

14.00.20

Токсикология

медицинские

14.00.21

Стоматология

медицинские

14.00.22

Травматология и ортопедия

медицинские

14.00.23

Гистология, цитология, эмбриология

медицинские

14.00.24

Судебная медицина

медицинские

14.00.25

Фармакология, клиническая фармакология

медицинские

14.00.26

Фтизиатрия

медицинские

14.00.27

Хирургия

медицинские

14.00.28

Нейрохирургия

медицинские

14.00.29

Гематология и переливание крови

медицинские

14.00.30

Эпидемиология

медицинские

14.00.31

Химиотерапия и антибиотики

медицинские

14.00.32

Авиационная, космическая и морская медицина

медицинские

14.00.33

Общественное здоровье и здравоохранение

медицинские

14.00.34

Курортология и физиотерапия)

медицинские

14.00.35

Детская хирургия

медицинские

14.00.36

Аллергология и иммулология

медицинские

14.00.37

Анестезиология и реаниматология

медицинские

14.00.39

Ревматология

медицинские

14.00.40

Урология

медицинские

14.00.41

Трансплантология и искусственные органы

медицинские

14.00.42

Клиническая фармакология)

медицинские

14.00.43

Пульмонология

медицинские

14.00.44

Сердечно-сосудистая хирургия

медицинские

14.00.45

Наркология

медицинские

14.00.46

Клиническая лабораторная диагностика

медицинские

14.00.47

Гастроэнтэрология

медицинские

14.00.48

Нефрология

медицинские

14.00.49

Биологическая и медицинская кибернетика)

медицинские

14.00.50

Медицина труда

медицинские

14.00.51

Восстановительная медицина, спортивная медицина,
курортология и физиотерапия

медицинские

14.00.52

Социология медицины

медицинские

14.00.53

Геронтология и гериатрия

медицинские

14.00.55

Медико-социальная экспертиза и медико-социальная
реабилитация

медицинские

×
Философские науки

09.00.01

Онтология и теория познания

философские

09.00.02

Теория научного социализма и коммунизма

философские

09.00.03

История философии

философские

09.00.04

Эстетика

философские

09.00.05

Этика

философские

09.00.06

Философия религии

философские

09.00.07

Логика

философские

09.00.08

Философия науки и техники

философские

09.00.10

Философия политики и права

философские

09.00.11

Социальная философия

философские

09.00.13

Религиоведение, филосовская антропология,
философия культуры

философские
исторические

×
Фармацевтические науки

15.00.01

Технология лекарств и организация фармацевтического дела

фармац-кие

15.00.02

Фармацевтическая химия и фармакогнозия

фармац-кие

×
Филологические науки

10.01.00

Литературоведение

 

10.01.01

Русская литература

филологические

10.01.02

Литература народов Российской Федерации (с указанием
конкретной литературы или группы литератур)

филологические

10.01.03

Литература народов стран зарубежья (с указанием конкретной
литературы)

филологические

10.01.04

Литература зарубежных социалистических стран

филологические

10.01.05

Литература народов Европы, Америки и Австралии

филологические

10.01.06

Литература народов Азии и Африки

филологические

10.01.08

Теория литературы. Текстология

филологические

10.01.09

Фольклористика

филологические

10.01.10

Журналистика

филологические
политические

10.01.11

Текстология

филологические

10.02.00

Языкознани

 

10.02.01

Русский язык

филологические

10.02.02

Языки народов Российской Федерации (с указанием конкретного
языка или языковой семьи)

филологические

10.02.03

Славянские языки

филологические

10.02.04

Германские языки

филологические

10.02.05

Романские языки

филологические

10.02.06

Тюркские языки

филологические

10.02.07

Финно-угорские и самодийские языки

филологические

10.02.08

Иранские языки

филологические

10.02.09

Кавказские языки

филологические

10.02.10

Кавказские языки

филологические

10.02.14

Классическая филология, византийская и новогреческая филология

филологические

10.02.15

Балтийские языки

филологические

10.02.16

Монгольские языки

филологические

10.02.17

Семитские языки

филологические

10.02.19

Теория языка

филологические

10.02.20

Сравнительно-историческое, типологическое и сопостовительное
языкознание

филологические

10.02.21

Прикладная и математическая лингвистика

филологические

10.02.22

Языки народов зарубежных стран Европы, Азии, Африки,
аборигенов Америки и Австралии (с указанием конкретного
языка или языковой семьи)

филологические

×
Сельскохозяйственные науки

06.01.00

Агрономия

сельхоз-ные

06.02.00

Зоотехния

сельхоз-ные

06.03.00

Лесное хозяйство

сельхоз-ные

×
Химические науки

02.00.01

Неорганическая химия

химические

02.00.02

Аналитическая химия

химические

02.00.03

Органическая химия

химические

02.00.04

Физическая химия

химические

02.00.05

Электрохимия

химические

02.00.06

Высокомолекулярные соединения

химические

02.00.08

Химия элементоорганических соединений

химические

02.00.09

Химия высоких энергий

химические

02.00.10

Биоорганическая химия

химические

02.00.11

Коллоидная химия и физико-химическая механика

химические

02.00.13

Нефтехимия

химические

02.00.14

Радиохимия

химические

02.00.15

Катализ

химические

02.00.16

Химия и технология композиционных материалов

химические

02.00.17

Математическая и квантовая химия

химические

02.00.18

Химия, физика и технология поверхности

химические

02.00.19

Химия высокочистых веществ

химические

02.00.20

Хроматография

химические

02.00.21

Химия твердого тела

химические

×
Исторические науки

07.00.01

История Коммунистической партии Советского Союза

исторические

07.00.02

Отечественная история

исторические

07.00.03

Всеобщая история (соответствующего периода)

исторические

07.00.04

История коммунистического и рабочего движения и
национально-освободительных движений

исторические

07.00.05

История международных отношений и внешней политики

исторические

07.00.06

Археология

исторические

07.00.07

Этнография, энтология и антропология

исторические

07.00.09

Историография, источниковедение и методы исторического
исследования

исторические

07.00.10

История науки и техники

исторические
физико-
математические
химические
биологические
геолого-
минералогические
технические
сельско-
хозяйственные
географические
медицинские
ветеринарные
архитектура

07.00.12

История искусства

исторические

07.00.13

История марксизма-ленинизма

исторические

07.00.14

Партийное строительство

исторические

07.00.15

История международных отношений и внешней политики

исторические

×
Военные науки

20.01.00

Военно-теоретические науки

военные

20.02.00

Военно-специальные науки

военные

×
Геолого-минералогические науки

04.00.01

Общая и региональная геология

геология

04.00.02

Геохимия

геология

04.00.03

Биогеохимия

геология

04.00.04

Геотектоника

геология

04.00.06

Гидрогеология

геология

04.00.07

Инженерная геология, мерзлотоведение и грунтоведение

геология

04.00.08

Петрография, вулканология

геология

04.00.09

Палеонтология и стратиграфия

геология

04.00.10

Геология океанов и морей

геология

04.00.11

Геология, поиски и разведка рудных и нерудных месторождений,
металлогения

геология

04.00.12

Геофизические методы поисков и разведки месторождений полезных
ископаемых

геология

04.00.13

Геохимические методы поисков месторождений полезных
ископаемых

геология

04.00.16

Геология, поиски и разведка месторождений твердых горючих
ископаемых

геология

04.00.17

Геология, поиски и разведка нефтяных и газовых месторождений

геология

04.00.20

Минералогия, кристаллография

геология

04.00.21

Литология

геология

04.00.22

Геофизика

геология

04.00.23

Физика атмосферы и гидросферы

геология

04.00.24

Экологическая геология

геология

×
Педагогические науки

13.00.01

Общая педагогика, история педагогики и образования

педагогические

13.00.02

Теория и методика обучения и воспитания (по областям и уровням
образования)

педагогические

13.00.03

Коррекционная педагогика (сурдопедагогика и тифлопедагогика,
олигофренопедагогика и логопедия)

педагогические

13.00.04

Теория и методика физического воспитания, спортивной тренировки,
оздоровительной и адаптивной физической культуры

педагогические
психологические

13.00.05

Теория, методика и организация социально-культурной деятельности

педагогические

13.00.06

Теория и методика воспитания (по направлениям и сферам деятельности

педагогические

13.00.07

Теория и методика дошкольного образования

педагогические

13.00.08

Теория и методика профессионального образования

педагогические

×
Культурология

24.00.01

Теория и история культуры

культурология
философские
исторические
социологические
искусствоведение

24.00.02

Историческая культурология

культурология
философские
исторические

24.00.03

Музееведение, консервация и реставрация историко-
культурных объектов

культурология
искусствоведение
исторические
технические

24.00.04

Прикладная культурология

культурология
искусствоведение
технические

×
Ветеринарные науки

16.00.01

Диагностика болезней и терапия животных

ветеринарные

16.00.02

Патология, онкология и морфология животных

ветеринарные

16.00.03

Ветеринарная эпизоотология, микология с микотоксикологией
и иммунология

ветеринарные

16.00.04

Ветеринарная фармакология с токсикологией

ветеринарные

16.00.05

Ветеринарная хирургия

ветеринарные

16.00.06

Ветеринарная санитария, экология, зоогигиена и ветеринарно-
санитарная экспертиза

ветеринарные

16.00.07

Ветеринарное акушерство и биотехника репродукции животных

ветеринарные

16.00.08

Гигиена животных, продуктов животноводства и ветеринарно-
санитарная экспертиза

ветеринарные

×
Психологические науки

19.00.01

Общая психология, психология личности, история психологии

психологические

19.00.02

Психофизиология

психологические
биологические
медицинские

19.00.03

Психология труда, инженерная психология, эргономика

психологические
технические

19.00.04

Медицинская психология

психологические
медицинские

19.00.05

Социальная психология

психологические
политические

19.00.06

Юридическая психология

психологические
юридические

19.00.07

Педагогическая психология

психологические

19.00.10

Коррекционная психология

психологические

19.00.11

Психология личности

психологические

19.00.12

Политическая психология

психологические
политические

19.00.13

Психология развития, акмеология

психологические
педагогические

×
Политические науки

23.00.01

Теория политики, история и методология политической науки

политические
исторические

23.00.02

Политические институты, этнополитическая конфликтология,
национаные и политические процессы и технологии

политические
социологические
юридические

23.00.03

Политическая культура и идеология

политические
социологические
юридические

23.00.04

Политическая проблемы международных отношений и
глобального развития

политические
юридические

×
Науки о Земле

25.00.01

Общая и региональная геология

о земле

25.00.02

Палеонтология и стратиграфия

о земле

25.00.03

Геотектоника и геодинамика

о земле

25.00.04

Петрология, вулканология

о земле

25.00.05

Минералогия, кристаллография

о земле

25.00.06

Литология

о земле

25.00.07

Гидрогеология

о земле

25.00.08

Инженерная геология, мерзлотоведение и грунтоведение

о земле

25.00.09

Геохимия, геохимические методы поисков полезных ископаемых

о земле

25.00.10

Геофизика, геофизические методы поисков полезных ископаемых

о земле

25.00.11

Геология, поиски и разведка твердых полезных ископаемых,
минерагения

о земле

25.00.12

Геология, поиски и разведка горючих ископаемых

о земле

25.00.13

Обогащение полезных ископаемых

о земле

25.00.14

Технология и техника геологоразведочных работ

о земле

25.00.15

Технология бурения и освоения скважин

о земле

25.00.16

Горнопромышленная и нефтегазопромысловая геология, геофизика,
маркшейдерское дело и геометрия недр

о земле

25.00.17

Разработка и эксплуатация нефтяных и газовых месторождений

о земле

25.00.18

Технология освоения морских месторождений полезных ископаемых

о земле

25.00.19

Строительство и эксплуатация нефтегазоводов, баз и хранилищ

о земле

25.00.20

Геомеханика, разрушение пород взрывом, рудничная аэрогазо-
динамика и горная теплофизика

о земле

25.00.21

Теоретические основы проектирования горно-технических систем

о земле

25.00.22

Геотехнология(подземная, открытая и строительная)

о земле

25.00.23

Физическая география и биогеография, география почв и геохимия
ландшафтов

о земле

25.00.24

Экономическая, социальная и политическая география

о земле

25.00.25

Геоморфология и эволюционная география

о земле

25.00.26

Землеустройство, кадастр и мониторинг земель

о земле

25.00.27

Гидрология суши, водные ресурсы, гидрохимия

о земле

25.00.28

Океанология

о земле

25.00.29

Физика атмосферы и гидросферы

о земле

25.00.30

Метеорология, климатология, агрометеорология

о земле

25.00.31

Гляциология и криология Земли

о земле

25.00.32

Геодезия

о земле

25.00.33

Картография

о земле

25.00.34

Аэрокосмические исследования Земли, фотограмметрия

о земле

25.00.35

Геоинформатика

о земле

25.00.36

Геоэкология

о земле

×
Архитектура

18.00.01

Теория и история архитектуры, реставрация и реконструкция
историко-архитектурного наследия

архитектура
искусствоведение

18.00.02

Архитектура зданий и сооружений. Творческие концепции
архитектурной деятельности

архитектура
технические

18.00.04

Градостроительство, планировка сельских населенных пунктов

архитектура
технические

×
Социологические науки

22.00.01

Теория, методология и история социологии

социологические

22.00.02

Методы социологических исследований

социологические

22.00.03

Экономическая социология и демография

социологические

22.00.04

Социальная структура, социальные институты и процессы

социологические

22.00.05

Политическая социология

социологические

22.00.06

Социология культуры, духовной жизни

социологические

22.00.07

Общественное мнение

социологические

22.00.08

Социология управления

социологические

×
Искусствоведение

17.00.01

Театральное искусство

искусствоведение

17.00.02

Музыкальное искусство

искусствоведение

17.00.03

Кино-, теле- и другие экранные искусства

искусствоведение

17.00.04

Изобразительное и декоративно-прикладное искусство
и архитектура

искусствоведение

17.00.05

Декоративное и прикладное искусство

искусствоведение

17.00.06

Техническая эстетика и дизайн

искусствоведение

17.00.07

Музееведение. Консервация, реставрация и хранение
художественных ценностей

искусствоведение

17.00.08

теория и история культуры

искусствоведение

17.00.09

Теория и история искусства

искусствоведение
философские
исторические

×